Hafnium tetraklorid | HfCl4 tozu | CAS 13499-05-3 | zavod qiymeti

Hafnium tetraklorid | HfCl4 tozu | CAS 13499-05-3 | zavod qiyməti Xüsusi Şəkil

Qısa təsvir:

Hafnium tetraklorid, hafnium oksidinin xəbərçisi, üzvi sintez üçün katalizator, nüvə tətbiqləri və nazik təbəqənin çökməsi kimi mühüm tətbiqlərə malikdir, onun çox yönlülüyünü və müxtəlif texnoloji sahələrdə əhəmiyyətini vurğulayır.

More details feel free to contact: erica@epomaterial.com

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Məhsul təsviri

Qısa giriş

Məhsulun adı: Hafnium tetraklorid
CAS №: 13499-05-3
Mürəkkəb düstur: HfCl4
Molekulyar Çəki: 320.3
Görünüş: Ağ toz

Spesifikasiya

Maddə	Spesifikasiya
Görünüş	Ağ Pudra
HfCl4+ZrCl4	≥99,9%
Zr	≤200ppm
Fe	≤40ppm
Ti	≤20ppm
Si	≤40ppm
Mg	≤20ppm
Cr	≤20ppm
Ni	≤25ppm
U	≤5ppm
Al	≤60ppm

Ərizə

Hafnium dioksid xəbərçisi: Hafnium tetraklorid ilk növbədə əla dielektrik xassələrə malik olan hafnium dioksidi (HfO2) istehsal etmək üçün bir xəbərçi kimi istifadə olunur. HfO2 yarımkeçirici sənayesində tranzistorlar və kondansatörlər üçün yüksək k-dielektrik tətbiqlərində geniş istifadə olunur. HfCl4, hafnium dioksidin nazik təbəqələri yaratmaq qabiliyyətinə görə qabaqcıl elektron cihazların istehsalında vacibdir.
Üzvi sintez katalizatoru: Hafnium tetraxlorid müxtəlif üzvi sintez reaksiyaları, xüsusilə olefin polimerləşməsi üçün katalizator kimi istifadə edilə bilər. Onun Lyuis turşusu xassələri aktiv ara məhsulların formalaşmasına kömək edir və bununla da kimyəvi reaksiyaların səmərəliliyini artırır. Bu tətbiq kimya sənayesində polimerlərin və digər üzvi birləşmələrin istehsalında qiymətlidir.
Nüvə Tətbiqi: Yüksək neytron udma kəsiyi sayəsində hafnium tetraklorid nüvə proqramlarında, xüsusilə nüvə reaktorlarının idarəetmə çubuqlarında geniş istifadə olunur. Hafnium neytronları effektiv şəkildə udmaq qabiliyyətinə malikdir, buna görə də nüvə enerjisi istehsalının təhlükəsizliyini və səmərəliliyini artırmağa kömək edən parçalanma prosesini tənzimləmək üçün uyğun materialdır.
İncə Film Çöküntüsü: Hafnium tetraklorid kimyəvi buxar çökmə (CVD) proseslərində hafnium əsaslı materialların nazik təbəqələrini yaratmaq üçün istifadə olunur. Bu filmlər mikroelektronika, optika və qoruyucu örtüklər daxil olmaqla müxtəlif tətbiqlərdə vacibdir. Uniforma, yüksək keyfiyyətli filmlərin yerləşdirilməsi qabiliyyəti HfCl4-ü qabaqcıl istehsal proseslərində dəyərli edir.